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產(chǎn)品詳情

所在位置: 首頁> 產(chǎn)品目錄> HORIBA堀場>

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產(chǎn)品名稱：HORIBA堀場真空紫外橢偏儀
產(chǎn)品型號：UVISEL 2 VUV
產(chǎn)品廠商：HORIBA堀場
產(chǎn)品價格：0
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詳情介紹：

HORIBA堀場真空紫外橢偏儀UVISEL 2 VUV

真空紫外橢偏儀

UVISEL 2 VUV專為VUV 測量設計，整個系統(tǒng)處于真空狀態(tài)，無氧氣吸收。具備高準確性；超快測量速度；快速樣品室抽真空能力，方便快速更換樣品；氮氣消耗量少。光譜范圍可覆蓋147-2100nm。

UVISEL 2 VUV能夠在充氮氣或抽真空模型下工作。整個機械設計經(jīng)過優(yōu)化，氮氣消耗量低至6L/min，載樣速度快，2分鐘內即可完成。真空樣品倉門朝向操作人員更便于樣品裝載。

UVISEL 2 VUV在VUV波段具有高靈敏度，它集成了大功率雙光源、高通量光學系統(tǒng)以及CaF2光彈調制晶體和兩個時髦的單色儀。從147nm到850nm，樣品測量時間少于8分鐘，具有良好的信噪比。

UVISEL 2 VUV通過顯著減少氮氣消耗量、吹掃及測試時間，改變了VUV橢偏儀的世界。

DeltaPsi2軟件提供了從測試到建模分析，輸出報告，以及自動操作的全部功能控制，用戶界面直觀、友好，非常適用于科研及工業(yè)客戶使用。

UVISEL 2 VUV測試速度快、運行成本低，使其成為分析147nm到2100nm波段薄膜的理想工具。UVISEL 2 VUV橢偏儀可以定制化和自動化。

事業(yè)部: 科學儀器

產(chǎn)品分類: 橢圓偏振光譜儀

制造商: HORIBA France SAS

載樣速度快
吹掃速度快
氮氣消耗少
測試速度快
兩種操作模式可選：氮氣保護或抽真空
橢圓偏振光譜儀和FTIR-ATR聯(lián)合表征納米級高K介電材料

在互補式金屬氧化物半導體（CMOS）中，正在研究用高K介質材料替代傳統(tǒng)的SiO2或SiOxNy柵極介電層。本文對鉿鋁氧化物（HfAlO）進行了研究，其物理性能滿足此類應用的需求。鋁酸鉿薄膜的結構和組成以及HfAlO/Si界面對CMOS器件的優(yōu)化具有非常重要的作用。文中采用兩VUV橢圓偏振光譜和紅外光譜（FTIR-ATR）共同表征薄膜的厚度、帶隙附近及以上光學的特性。

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產(chǎn)品名稱：HORIBA堀場真空紫外橢偏儀

真空紫外橢偏儀